A commercially available solvent, such as a stripping chemical and/or an organic solvent, is supported by supercritical CO.sub.2 to remove a resist, its residue, and/or an organic contaminant off the surface of a semiconductor wafer. Supercritical CO.sub.2 has a high solvency which increases with pressure. The supercritical CO.sub.2 permits a tremendous reduction in reaction time and amount of chemical utilized for the resist removal process. In a preferred embodiment, the wafer is exposed to the CO.sub.2 and chemical mixture in a process chamber heated to a temperature of 20 to 80.degree. C. at a pressure of 1050 to 6000 psig for a period of 10 seconds to 15 minutes.

Ein im Handel erhältliches Lösungsmittel, wie eine abstreifende Chemikalie und/oder ein organisches Lösungsmittel, wird durch überkritisches CO.sub.2 gestützt, um widerstehen, seinen Überrest und/oder einen organischen verunreiniger weg von der Oberfläche eines Halbleiterplättchens zu entfernen. Überkritisches CO.sub.2 hat einen hohen Solvency, der mit Druck sich erhöht. Das überkritische CO.sub.2 ermöglicht eine enorme Verringerung der Reaktion Zeit und Menge der Chemikalie verwendet für den widerstehenabbauprozeß. In einer bevorzugten Verkörperung wird die Oblate das CO.sub.2 und der chemischen Mischung in einem Prozeßraum ausgesetzt, der zu einer Temperatur von 20 zu 80.degree geheizt wird. C. mit einem Druck von 1050 bis 6000 psig während einer Periode von 10 Sekunden bis 15 Minuten.