There is disclosed a method of fabricating an SOI wafer in which a bond wafer to form a SOI layer and a base wafer to be a supporting substrate are prepared; an oxide film is formed on at least the bond wafer; hydrogen ions or rare gas ions are implanted in the bond wafer via the oxide film in order to form a fine bubble layer (enclosed layer) within the bond wafer; the ion-implanted surface is brought into close contact with the surface of the base wafer; and then heat treatment is performed to separate a thin film from the bond wafer with using the fine bubble layer as a delaminating plane to fabricate the SOI wafer having an SOI layer; and wherein deviation in the thickness of the oxide film formed on the bond wafer is controlled to be smaller than the deviation in the ion implantation depth, and the SOI wafer fabricated thereby. There is provided an SOI wafer which has an SOI layer having improved thickness uniformity.

Wird einer Methode des Fabrizierens einer SOI Oblate freigegeben, in der eine Bondoblate, zum einer SOI Schicht zu bilden und eine niedrige Oblate, um ein stützendes Substrat zu sein vorbereitet werden; ein Oxidfilm wird auf mindestens der Bondoblate gebildet; Wasserstoffionen oder seltene Gasionen werden in der Bondoblate über den Oxidfilm eingepflanzt, um eine feine Luftblase Schicht (beiliegende Schicht) innerhalb der Bondoblate zu bilden; die Ion-eingepflanzte Oberfläche wird in nahen Kontakt mit der Oberfläche der niedrigen Oblate geholt; und dann wird Wärmebehandlung durchgeführt, um einen Dünnfilm von der Bondoblate mit dem Verwenden der feinen Luftblase Schicht zu trennen wie eine delaminating Fläche, um die SOI Oblate zu fabrizieren, die eine SOI Schicht hat; und worin Abweichung in der Stärke des Oxidfilmes, der auf der Bondoblate gebildet wird, gesteuert wird, um als die Abweichung in der Ionenimplantation Tiefe kleiner zu sein und die SOI Oblate dadurch fabriziert. Wird einer SOI Oblate zur Verfügung gestellt, die eine SOI Schicht hat, die Stärke Gleichförmigkeit verbessert wird.