A method is disclosed for driving a memory cell formed of a ferroelectric capacitor FC and a transistor Tr. While maintaining a cell plate line CP at an intermediate voltage level Vcc/2 of a power supply voltage, a bit line BL is precharged to a voltage equal to Vcc/2. Data is read by detecting a change in voltage on the bit line BL which occurs when the bit line BL is released from the precharged state in a period in which word line WL0 is selected. Data is written by changing the voltage on the cell plate line CP in a stepped fashion in the order of Vcc/2, Vcc, 0 V, and Vcc/2, while applying a write voltage to the bit line after releasing the bit line from the precharged state, in a period in which a word line is selected. This method allows a ferroelectric memory cell to be driven at a high speed with low power consumption. Furthermore, the method allows a ferroelectric memory cell to be polarized to a sufficient degree, and thus the ferroelectric memory cell can be driven in a highly reliable fashion.

Een methode wordt voor het drijven van een geheugencel onthuld die van een ferroelectric condensator FC en een transistor RT wordt gevormd. Terwijl het handhaven van een lijn CP van de celplaat op een middenvoltageniveau Vcc/2 van een voltage van de machtslevering, wordt BL van de beetjelijn voorgeladen aan een voltage gelijk aan Vcc/2.- Gegevens wordt gelezen door een verandering in voltage op BL van de beetjelijn te ontdekken die voorkomt wanneer BL van de beetjelijn van de voorgeladen staat tijdens een periode wordt vrijgegeven waarin de woordlijn WL0 wordt geselecteerd. Het gegeven wordt geschreven door het voltage te veranderen over de lijn CP van de celplaat op een gestapte manier in de orde van Vcc/2, Vcc, 0 V, en Vcc/2, terwijl van toepassing zijn schrijven voltage aan de beetjelijn na het vrijgeven van de beetjelijn van de voorgeladen staat, tijdens een periode waarin een woordlijn wordt geselecteerd. Deze methode laat een ferroelectric geheugencel toe om bij een hoge snelheid met lage machtsconsumptie worden gedreven. Voorts laat de methode een ferroelectric geheugencel toe om aan een voldoende graad worden gepolariseerd, en zo kan de ferroelectric geheugencel op een hoogst betrouwbare manier worden gedreven.