This invention is a nonvolatile semiconductor memory device including an electrically rewritable memory cell having a gate, source, drain, and charge storage layer, an extracting electrode electrically connected to at least one of the source and drain of the memory cell, and a counter electrode essentially capacitively coupled with the extracting electrode.

Cette invention est un dispositif non-volatile de mémoire à semiconducteurs comprenant une cellule de mémoire électriquement rewritable ayant une porte, source, drain, et couche de stockage de charge, une électrode extrayante électriquement reliée au moins à une de la source et du drain de cellule de mémoire, et une contre-électrode essentiellement capacitively couplée à l'électrode extrayante.