Integrated circuit structure having improved resistance in metal against degradation from exposure to fluorine released from a fluorine-containing material by forming a fluorine barrier layer between the insulator material and the metal. The invention is especially useful in improving corrosion and poisoning resistance of metallurgy, such as aluminum metallurgy, in semiconductor structures.

Schaltungstruktur, die Widerstand im Metall gegen Verminderung von Aussetzung zu das Fluor freigegeben von einem fluorhaltigen Material durch die Formung einer Fluorgrenzschicht zwischen dem Isolierung Material und dem Metall verbessert wird. Die Erfindung ist besonders nützlich, wenn man Korrosion verbessert und Widerstand von Metallurgie, wie Aluminiummetallurgie, in den Halbleiterstrukturen vergiftet.