A semiconductor device such as a light emitting semiconductor device comprising a mask layer having opening areas and a selective growing layer comprising a semiconductor grown selectively by way of the mask layer, with each of the mask layer and the selective growing layer being disposed by two or more layers alternately. The semiconductor device is manufactured by a step of laminating on a substrate a mask layer having opening areas and a selective growing layer comprising a semiconductor grown selectively way of a mask layer, each by two or more layers alternately and a subsequent step of laminating semiconductor layers thereon. Threading dislocations in the underlying layer are interrupted by the first mask layer and the second mask layer and do not propagate to the semiconductor layer. The density of the threading dislocations is lowered over the entire surface and the layer thickness can be reduced.

Een halfgeleiderapparaat zoals een licht uitzendend halfgeleiderapparaat bestaand uit een maskerlaag openingsgebieden hebben en uit een selectieve groeiende laag die uit een halfgeleider bestaan die als de maskerlaag, met elk van de maskerlaag en de selectieve groeiende laag die selectief wordt gekweekt door twee of meer lagen afwisselend worden geschikt. Het halfgeleiderapparaat wordt vervaardigd door een stap van het lamineren van op een substraat een maskerlaag openingsgebieden hebben en een selectieve groeiende laag die bestaand uit een halfgeleider gekweekte selectief manier van een maskerlaag, elk door twee of meer lagen afwisselend en een verdere stap van het lamineren halfgeleiderlagen daarop. Inpassend dislocaties in de onderliggende laag worden onderbroken door de eerste maskerlaag en de tweede maskerlaag en zich verspreiden niet aan de halfgeleiderlaag. De dichtheid van de het inpassen dislocaties wordt verminderd over de volledige oppervlakte en de laagdikte kan worden verminderd.