Provided is a method for cleaning hydrophobic surfaces, such as low K dielectric organic or inorganic surfaces as well as metallization surfaces of a semiconductor wafer. The method includes: (a) applying a surfactant solution to the surface; (b) scrubbing the surface; and (c) spin-rinsing the surface of the substrate using de-ionized water to complete a removal of any contaminants from the surface. If needed, the surfactant solution can be mixed with a chemical enhancer, and the scrubbing can be performed in a brush system. The brush system may be configured to apply DI water using a through the brush (TTB) technique. The surfactant solution can be applied either using a drip technique or using the TTB technique.

Se è un metodo per la pulitura delle superfici idrofobe, quali le superfici organiche di K o inorganiche dielettriche basse così come le superfici di metalizzazione di una cialda a semiconduttore. Il metodo include: (a) applicare una soluzione dell'agente tensioattivo alla superficie; (b) fregare la superficie; e (c) fil-risciacquando la superficie del substrato usando acqua deionizzata per completare una rimozione di qualsiasi agenti inquinanti dalla superficie. Se avuta bisogno di, la soluzione dell'agente tensioattivo può essere mescolata con un rinforzatore chimico e fregare può essere realizzato in un sistema della spazzola. Il sistema della spazzola può essere configurato per applicare DI water usando la a con la tecnica della spazzola (TTB). La soluzione dell'agente tensioattivo può essere applicata usando una tecnica del gocciolamento o usando la tecnica di TTB.