A process for manufacturing metallic interconnect lines of low stress. Process steps according to the present invention first include a step of providing a semiconductor substrate (e.g. a silicon wafer) with an overlying insulating layer, followed by forming a multi-layer stack on the insulating layer. The multi-layer stack includes at least two adjoining layers: one being a metal M layer (for example an aluminum layer) and the other being a material Q layer, where material Q is a material that forms either (i) an electrically conductive intermetallic layer, or (ii) an electrically conducting solid solution layer, with metal M when subjected to the subsequent thermal treatment step. Silicon and titanium meet this requirement when metal M is aluminum. The multi-layer stack is then pattered to form a multi-layer metallic interconnect line. An interconnect dielectric material layer (e.g. a SiO.sub.2 or silicon nitride layer) is subsequently formed at a temperature T.sub.1, covering the multi-layer metallic interconnect line. The multi-layer metallic interconnect line and the interconnect dielectric material layer are then thermally treated at a temperature T.sub.2 that is greater than T.sub.1, in order to reduce the stress (i.e. compressive or tensile) of the multi-layer metallic interconnect line by forming the electrically conductive intermetallic layer or electrically conductive solid solution layer. The result is a low stress metallic interconnect line.

Ein Prozeß für die Produktion der metallischen Verknüpfung Linien des niedrigen Druckes. Prozeßschritte entsprechend der anwesenden Erfindung schließen zuerst einen Schritt des Versehens eines Halbleitersubstrates (z.B. eine Silikonoblate) mit einer überlagernden Isolierschicht ein, gefolgt von der Formung eines mehrschichtigen Stapels auf der Isolierschicht. Der mehrschichtige Stapel schließt mindestens zwei anliegende Schichten ein: ein, das eine Schicht des Metall M ist (zum Beispiel eine Aluminiumschicht) und das andere Sein eine Schicht des Materials Q, in der Material Q ein Material ist, das entweder (i) ein elektrisch leitende intermetallische Schicht bildet, oder (ii) eine elektrisch feste Lösung Leitschicht, mit Metall M, wenn Sie dem folgenden thermischen Behandlungschritt unterworfen werden. Silikon und Titan entsprechen dieser Anforderung, wenn Metall M Aluminium ist. Der mehrschichtige Stapel wird dann gerüttelt, um eine mehrschichtige metallische Verknüpfung Linie zu bilden. Eine Verknüpfung dielektrische materielle Schicht (z.B. eine SiO.sub.2 oder Silikonnitridschicht) wird nachher bei einer Temperatur T.sub.1 gebildet und umfaßt die mehrschichtige metallische Verknüpfung Linie. Die mehrschichtige metallische Verknüpfung Linie und die Verknüpfung dielektrische materielle Schicht werden dann thermisch bei einer Temperatur T.sub.2, die grösser als T.sub.1 ist behandelt, um den Druck (d.h. zusammenpressend oder dehnbar) der mehrschichtigen metallischen Verknüpfung Linie zu verringern, indem man die elektrisch leitende intermetallische Schicht oder elektrisch leitende feste Lösung Schicht bildet. Das Resultat ist eine metallische Linie Verknüpfung des niedrigen Druckes.