An intersubband semiconductor light source comprises a core region that includes a unipolar, radiative transition (RT) region having upper and lower energy levels, an injector-only (I) region disposed on one side of the RT region, and a reflector/extractor-only (R/E) region disposed on the other side of the RT region. The I region has a first miniband of energy levels aligned so as to inject electrons into the upper energy level, and the R/E region has a second miniband of energy levels aligned so as to extract electrons from the lower energy level. The R/E region also has a minigap aligned so as to inhibit the extraction of electrons from the upper level. A suitable voltage applied across the core region is effective to cause the RT region to generate light at a wavelength determined by the energy difference between the upper and lower energy levels. Low voltage operation at less than 3 V is described.

Une source lumineuse de semi-conducteur d'intersubband comporte une région de noyau qui inclut une région unipolaire et radiative de la transition (droite) ayant les forces supérieures et plus basses, une région de l'injecteur-seulement (i) disposée d'un côté de la région de droite, et d'une région de reflector/extractor-only (R/E) disposée de l'autre côté de la région de droite. La région de I a un premier miniband des forces alignées afin d'injecter des électrons dans la force supérieure, et la région de R/E ait un deuxième miniband des forces alignées afin d'extraire des électrons à partir de la force plus basse. La région de R/E a également un minigap aligné afin d'empêcher l'extraction des électrons du niveau supérieur. Une tension appropriée s'est appliquée à travers la région de noyau est efficace pour faire produire la région de droite de la lumière à une longueur d'onde déterminée par la différence d'énergie entre les forces supérieures et plus basses. L'opération de basse tension à moins de 3 V est décrite.