Disclosed is a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate, a cell transistor formed in the semiconductor substrate, an interlayer dielectric film in which is formed a contact hole communicating with a part of the cell transistor, a contact plug buried in the contact hole formed in the interlayer dielectric film, a capacitor lower electrode formed of a ruthenium/tantalum laminate film consisting of a tantalum film and a ruthenium film formed on the tantalum film, the lower electrode being formed on interlayer dielectric film and connected to the contact plug, a capacitor dielectric film formed on the ruthenium film included in the capacitor lower electrode and consisting of a metal oxide, and a capacitor upper electrode formed on the capacitor dielectric film, the ruthenium film exhibiting (00n) dominant orientation, where n denotes a positive integer.

Αποκαλύπτεται μια συσκευή ημιαγωγών, περιλαμβάνοντας ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, μια κρυσταλλολυχνία κυττάρων που διαμορφώνεται στο υπόστρωμα ημιαγωγών, μια διηλεκτρική ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων στο οποίο διαμορφώνεται μια τρύπα επαφών επικοινωνώντας με ένα μέρος της κρυσταλλολυχνίας κυττάρων, ενός βουλώματος επαφών που θάβονται στην τρύπα επαφών που διαμορφώνεται στη διηλεκτρική ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων, ενός ηλεκτροδίου πυκνωτών χαμηλότερα που διαμορφώνονται ruthenium/tis φυλλόμορφης ταινίας τανταλίου που αποτελούνται από μια ταινία τανταλίου και μιας ruthenium ταινίας που διαμορφώνεται στην ταινία τανταλίου, το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο που διαμορφώνεται στη διηλεκτρική ταινία ενδιάμεσων στρωμάτων και που συνδέεται με το βούλωμα επαφών, μια διηλεκτρική ταινία πυκνωτών που διαμορφώνεται στη ruthenium ταινία που περιλαμβάνεται στο ηλεκτρόδιο πυκνωτών χαμηλότερα και σύσταση από ένα μεταλλικό οξείδιο, και ταινία, η ruthenium ταινία που εκθέτει (00n) τον κυρίαρχο προσανατολισμό, όπου το ν δείχνει έναν θετικό ακέραιο αριθμό.