A nonvolatile ferroelectric memory device and a method for manufacturing
the same increase capacitance by ensuring an area of a capacitor to the
maximum degree and simplify process steps by facilitating layout design.
The nonvolatile ferroelectric memory device according to the present
invention includes first and second split wordlines formed at a certain
interval in one direction, first and second bitlines formed across the
first and second split wordlines at a certain interval, first and second
source/drain impurity regions respectively formed at both sides of the
first and second split wordlines, a first ferroelectric capacitor formed
on the second split wordline, having a lower electrode electrically
connected with the first source impurity region and an upper electrode
connected with the second split wordline, and a second ferroelectric
capacitor formed on the first split wordline, having a lower electrode
electrically connected with the second source impurity region and an upper
electrode connected with the first split wordline.
Un bloc de mémoires ferroelectric non-volatile et une méthode pour fabriquer la même chose augmentent la capacité en assurant un secteur d'un condensateur au degré maximum et simplifient des étapes de processus en facilitant la conception de disposition. Le bloc de mémoires ferroelectric non-volatile selon la présente invention inclut des wordlines d'abord et en second lieu dédoublés formés à un certain intervalle dans une direction, d'abord et deuxièmes bitlines formés à travers les premiers et deuxièmes wordlines de fente un certain intervalle, d'abord et les deuxièmes régions d'impureté de source/drain respectivement formées sur les deux côtés des premiers et deuxièmes wordlines de fente, un premier condensateur ferroelectric formé sur le deuxième wordline de fente, ayant à une électrode inférieure électriquement liée à la première région d'impureté de source et à une électrode supérieure liée au deuxième wordline de fente, et à un deuxième condensateur ferroelectric formée sur le premier wordline de fente, ayant une électrode inférieure électriquement liée à la région d'impureté de la deuxième source et une électrode supérieure s'est reliée au premier wordline de fente.
