A method of fabricating on ohmic metal electrode. The p-type ohmic metal electrode according to the present invention employs Ru and RuO.sub.x as the cover layer in lieu of conventional Au, in order to effectively prevent penetration by contaminants in the air, such as oxygen, carbon, and H.sub.2 O, and to form a stable metal-Ga intermetallic phase at the junction between the contact layer and the nitride compound semiconductor. The n-type ohmic metal electrode according to the present invention employs Ru as the diffusion barrier in lieu of conventional Ni or Pt, in order to effectively form a metal-nitride phase such as titanium nitride that contributes to superior ohmic characteristics during the heating process, without destruction of the junction. According to the present invention, it is possible to fabricate devices having superior electrical, optical, and thermal characteristics compared with conventional devices.

Eine Methode des Fabrizierens auf ohmscher Metalelektrode. Die Part ohmsche Metalelektrode entsprechend der anwesenden Erfindung setzt Ru und RuO.sub.x wie die Abdeckung Schicht anstatt des herkömmlichen Au, um Durchgriff durch verunreiniger in der Luft, wie Sauerstoff, Carbon und H.sub.2 O effektiv zu verhindern, ein und eine beständiges Metall-Ga intermetallische Phase an der Verzweigung zwischen der Kontaktschicht und dem Verbindungshalbleiter des Nitrids zu bilden. Die Nart ohmsche Metalelektrode entsprechend der anwesenden Erfindung setzt Ru als die Diffusion (Zerstäubung) Sperre anstatt herkömmlichen Ni oder Pints ein, um eine Metall-Nitrid Phase wie Titannitrid, das zu den überlegenen ohmschen Eigenschaften während des Heizung Prozesses beiträgt, ohne Zerstörung der Verzweigung effektiv zu bilden. Entsprechend der anwesenden Erfindung ist es möglich, die Vorrichtungen zu fabrizieren, welche die überlegenen elektrischen, optischen und thermischen Eigenschaften haben, die mit herkömmlichen Vorrichtungen verglichen werden.