A semiconductor storage device is disclosed that can lower sense amplifier
input potentials to about a half supply potential (VCC/2) to speed up
sense amplifier operations. According to one embodiment, a semiconductor
storage device (100) may include a pair of digit lines (104 and 106), a
memory cell (108) that can place stored data on digit lines (104 and 106),
a sense amplifier (112) that may read memory cell data on digit lines (104
and 106), and switching devices (120-a and 120-b) connected between sense
amplifier inputs (112-a and 112-b) and digit lines (104 and 106). Digit
lines (104 and 106) may be precharged to a high potential. Memory cell
data may then be placed on the digit lines (104 and 106). Prior to the
activation of the sense amplifier (112) switching devices (120-a and
120-b) may lower the digit line potentials to a level more conducive to
sensing by the sense amplifier (112). In this way, a read operation by the
sense amplifier (112) may be faster than conventional approaches.
On révèle un dispositif de stockage de semi-conducteur qui peut abaisser des potentiels d'entrée d'amplificateur de sens environ à demi de potentiel d'approvisionnement (VCC/2) d'accélérer des opérations d'amplificateur de sens. Selon une incorporation, un dispositif de stockage de semi-conducteur (100) peut inclure une paire de lignes de chiffre (104 et 106), une cellule de mémoire (108) qui peuvent placer des données stockées sur des lignes de chiffre (104 et 106), un amplificateur de sens (112) qui peuvent lire des données de cellules de mémoire sur des lignes de chiffre (104 et 106), et des dispositifs de commutation (120-a et 120-b) reliés entre les entrées d'amplificateur de sens (112-a et 112-b) et les lignes de chiffre (104 et 106). Des lignes de chiffre (104 et 106) peuvent être préchargées à un potentiel élevé. Des données de cellules de mémoire peuvent alors être placées sur les lignes de chiffre (104 et 106). Avant l'activation commutations d'amplificateur de sens des 112) (les dispositifs (120-a et 120-b) peuvent abaisser la ligne potentiels de chiffre à un niveau plus favorisant la sensation par l'amplificateur de sens (112). De cette façon, une opération "lecture" par l'amplificateur de sens (112) peut être plus rapide que des approches conventionnelles.
