A method of fabricating trenches has been achieved. The method may be
applied to damascene and dual damascene contacts to prevent damage to
organic low dielectric constant materials due to photoresist ashing. A
semiconductor substrate is provided. A first dielectric layer is deposited
overlying the semiconductor substrate. A first etch stopping layer is
deposited overlying the first dielectric layer. A second etch stopping
layer is deposited overlying the first etch stopping layer. An optional
anti-reflective coating is applied. A photoresist layer is deposited. The
photoresist layer is patterned to define openings for planned trenches.
The second etch stopping layer is etched through to form a hard mask for
the planned trenches. The photoresist layer is stripped away by ashing
where the first etch stopping layer protects the first dielectric layer
from damage due to the presence of oxygen radicals. The first etch
stopping layer is etched through to complete the trenches, and the
integrated circuit device is completed.
Метод изготовлять шанцы был достиган. Метод может быть приложен к damascene и двойной damascene контактирует для того чтобы предотвратить повреждение к органическим низким материалам диэлектрической константы должным к ashing фоторезиста. Субстрат полупроводника обеспечен. Депозирован первый диэлектрический слой overlying субстрат полупроводника. Депозирован первый etch останавливая слой overlying первый диэлектрический слой. Депозирован второй etch останавливая слой overlying первый etch останавливая слой. Опционное анти-otrajatel6noe покрытие приложено. Слой фоторезиста депозирован. Слой фоторезиста сделан по образцу для того чтобы определить отверстия для запланированных шанцов. Второй etch останавливая слой вытравлен до конца для того чтобы сформировать трудную маску для запланированных шанцов. Слой фоторезиста раздет прочь путем ashing где первый etch останавливая слой защищает первый диэлектрический слой от повреждения должного к присутсвию радикалов кислорода. Первый etch останавливая слой вытравлен до конца для того чтобы завершить шанцы, и приспособление интегрированной цепи завершито.
