A first embodiment of the present invention pertains to a method of patterning a semiconductor device conductive feature while permitting easy removal of any residual masking layer which remains after completion of the etching process. A multi-layered masking structure is used which includes a layer of high-temperature organic-based masking material overlaid by either a patterned layer of inorganic masking material or by a layer of patterned high-temperature imageable organic masking material. The inorganic masking material is used to transfer a pattern to the high-temperature organic-based masking material and is then removed. The high-temperature organic-based masking material is used to transfer the pattern and then may be removed if desired. This method is also useful in the pattern etching of aluminum, even though aluminum can be etched at lower temperatures. A second embodiment of the present invention pertains to a specialized etch chemistry useful in the patterning of organic polymeric layers such as low k dielectrics, or other organic polymeric interfacial layers. This etch chemistry is useful for mask opening during the etch of a conductive layer or is useful in etching damascene structures where a metal fill layer is applied over the surface of a patterned organic-based dielectric layer. The etch chemistry provides for the use of etchant plasma species which minimize oxygen, fluorine, chlorine, and bromine content.

Una primera encarnación de la actual invención pertenece a un método de modelar una característica conductora del dispositivo de semiconductor mientras que permite retiro fácil de cualquier capa que enmascara residual que siga habiendo después de la terminación del proceso de la aguafuerte. Se utiliza una estructura que enmascara de varias capas que incluye una capa de overlaid orga'nico-basado de alta temperatura del material adhesivo por una capa modelada de material adhesivo inorgánico o por una capa de material adhesivo orgánico imageable de alta temperatura modelado. El material adhesivo inorgánico se utiliza para transferir un patrón al material adhesivo orga'nico-basado de alta temperatura y después se quita. El material adhesivo orga'nico-basado de alta temperatura se utiliza para transferir el patrón y entonces puede ser quitado si está deseado. Este método es también útil en la aguafuerte del patrón del aluminio, aunque el aluminio se puede grabar al agua fuerte en temperaturas más bajas. Una segunda encarnación de la actual invención pertenece a una química especializada del grabado de pistas útil en modelar de capas poliméricas orgánicas tales como dieléctricos bajos de k, o a otras capas diedras poliméricas orgánicas. Esta química del grabado de pistas es útil para la abertura de la máscara durante el grabado de pistas de una capa conductora o es útil en las estructuras damasquinas de la aguafuerte donde una capa del terraplén del metal se aplica sobre la superficie de una capa dieléctrica orga'nico-basada modelada. La química del grabado de pistas preve el uso de las especies etchant del plasma que reducen al mínimo el oxígeno, el flúor, la clorina, y el contenido del bromo.