A method and an apparatus for editing an integrated circuit. In one embodiment, an integrated circuit substrate is placed into a laser chemical vapor deposition (LCVD) tool and a conductive metal film is deposited onto the integrated circuit substrate over an area of interest. The integrated circuit substrate is subsequently placed into a focused ion beam (FIB) tool where an optional FIB cleaning step is performed on the conductive element deposited by the LCVD tool to help ensure that a good electrical contact can be made. The FIB tool is also used to introduce any desired cuts into signal lines of the integrated circuit to complete edits. The FIB is also used to remove passivation over integrated circuit nodes of interest to expose buried metal lines for subsequent coupling to the conductive element deposited with the LCVD tool. The FIB tool is then used to deposit a focused ion beam chemical vapor deposition (FIBCVD) conductive element between the exposed integrated circuit nodes of interest and the conductive element deposited with the LCVD tool. As a result, a new conductive element between the nodes of interest is formed through the conductive elements formed by both the LCVD and FIB tools.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα. Σε μια ενσωμάτωση, ένα υπόστρωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων τοποθετείται σε ένα εργαλείο απόθεσης χημικού ατμού λέιζερ (LCVD) και μια αγώγιμη ταινία μετάλλων κατατίθεται επάνω στο υπόστρωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων πέρα από έναν τομέα ενδιαφέροντος. Το υπόστρωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων τοποθετείται στη συνέχεια σε ένα εργαλείο ιονικών ακτίνων (FIB) όπου ένα προαιρετικό FIB καθαρίζοντας βήμα εκτελείται στο αγώγιμο στοιχείο που κατατίθεται από το εργαλείο LCVD για να βοηθήσει να εξασφαλίσει ότι μια καλή ηλεκτρική επαφή μπορεί να γίνει. Το FIB εργαλείο χρησιμοποιείται επίσης για να εισαγάγει οποιεσδήποτε επιθυμητές περικοπές στις γραμμές σημάτων του ολοκληρωμένου κυκλώματος που ολοκληρώνει εκδίδει. FIB χρησιμοποιείται επίσης για να αφαιρέσει την παθητικότητα πέρα από το ενδιαφέρον ενδιαφέρον κόμβων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων να εκτεθούν οι θαμμένες γραμμές μετάλλων για την επόμενη σύζευξη στο αγώγιμο στοιχείο που κατατίθεται στο εργαλείο LCVD. Το FIB εργαλείο χρησιμοποιείται έπειτα για να καταθέσει ένα αγώγιμο στοιχείο απόθεσης ατμού ιονικών ακτίνων χημικό (FIBCVD) μεταξύ των εκτεθειμένων κόμβων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ενδιαφέροντος και το αγώγιμο στοιχείο που κατατίθεται στο εργαλείο LCVD. Κατά συνέπεια, ένα νέο αγώγιμο στοιχείο μεταξύ των κόμβων ενδιαφέροντος διαμορφώνεται των αγώγιμων στοιχείων που διαμορφώνονται μέσω και από τα εργαλεία LCVD και FIB.