A method for fabricating a ferroelectric thin film, capable of preventing degradation due to fatigue and aging of a ferroelectric thin film of PZT and enabling crystallization at a low temperature. The ferroelectric thin film fabrication method includes the steps of forming an insulation layer on one side of a semiconductor substrate, forming an electrode layer on the insulation layer, forming a ferroelectric layer on the electrode layer, and performing an ion damage processing on the ferroelectric layer using an ionized gas.

Une méthode pour fabriquer une couche mince ferroelectric, capables d'empêcher la dégradation due à la fatigue et du vieillissement d'une couche mince ferroelectric de PZT et de permettre la cristallisation à une basse température. La méthode ferroelectric de fabrication de la couche mince inclut les étapes de former une couche d'isolation d'un côté d'un substrat de semi-conducteur, formant une couche d'électrode sur la couche d'isolation, formant une couche ferroelectric sur la couche d'électrode, et exécutant des dommages d'ion traitant sur la couche ferroelectric en utilisant un gaz ionisé.