A nitride semiconductor structure includes: a substrate having a growth surface, a convex portion and a concave portion being formed on the growth surface; and a nitride semiconductor film grown on the growth surface. A cavity is formed between the nitride semiconductor film and the substrate in the concave portion.

Eine Nitridhalbleiterstruktur schließt ein: ein Substrat, das eine Wachstumoberfläche, einen konvexen Teil und einen konkaven Teil gebildet wird auf der Wachstumoberfläche hat; und ein Nitridhalbleiterfilm gewachsen auf der Wachstumoberfläche. Ein Raum wird zwischen dem Nitridhalbleiterfilm und dem Substrat im konkaven Teil gebildet.