A low dielectric constant material and a process for controllably reducing the dielectric constant of a layer of such material is provided and comprises the step of exposing the layer of dielectric material to a concentration of an oxygen plasma at a temperature and a pressure sufficient for the oxygen plasma to etch the layer of dielectric material to form voids in the layer of dielectric material. The process may also include the step of controlling the reduction of the dielectric constant by controlling the size and density of the voids. The size and density of the voids can be controlled by varying the pressure under which the reaction takes place, by varying the temperature at which the reaction takes place, by varying the concentration of the oxygen plasma used in the reaction or by varying a combination of these parameters. The process of the present invention is particularly useful in the fabrication of semiconductor devices.

Низкий материал диэлектрической константы и процесс для controllably уменьшать диэлектрическую константу слоя такого материала обеспечены и состоят из шага подвергать действию слой диэлектрического материала к концентрации плазмы кислорода на температуре и давлении достаточно для плазмы кислорода для того чтобы вытравить слой диэлектрического материала для того чтобы сформировать свободные пространства в слое диэлектрического материала. Процесс может также включить шаг контролировать уменьшение диэлектрической константы путем контролировать размер и плотность свободных пространств. Размер и плотность свободных пространств могут быть проконтролированы путем менять давление под реакция принимает место, путем менять температуру на которую реакция принимает место, путем менять концентрацию плазмы кислорода используемой в реакции или путем менять комбинацию этих параметров. Процесс присытствыющего вымысла определенно полезн в изготовлении прибора на полупроводниках.