A nitride semiconductor light emitting device which uses as a light emitting layer an indium-containing group-III nitride semiconductor layer of a multi-phase structure composed of a main phase and sub-phases having different indium contents is characterized in that the sub-phases are mainly formed of crystal whose boundary with the main phase is surrounded by a strained layer.

Μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων που χρησιμοποιεί ως ελαφρύ στρώμα εκπομπής ένα ίνδιο-περιέχοντας ομάδα-ΙΙΙ στρώμα ημιαγωγών νιτριδίων μιας πολυφασικής δομής που αποτελείται από μια κύρια φάση και τις υπο--φάσεις που έχουν το διαφορετικό περιεχόμενο ίνδιου χαρακτηρίζεται δεδομένου ότι οι υπο--φάσεις διαμορφώνονται κυρίως του κρυστάλλου το του οποίου όριο με την κύρια φάση περιβάλλεται από ένα τεντωμένο στρώμα.