A sol-gel precursor mixture for forming a perovskite ferroelectric material and a method for forming a ferroelectric material are provided. The precursor solution comprises a sol-gel formulation of a mixture of an inorganic salt of at least one metal, and metal-organic compounds of other constituent metals in a suitable pH controlled aqueous solvent mixture to form a stable, clear sol-gel mixture. The precursor solution and method provides for formation of thin layers of other ferroelectric dielectrics and piezoelectric materials, particularly lead containing materials, for application including non-volatile DRAMs, optoelectronic devices relying on non-linear optical properties, and piezoelectric devices, and is compatible with processing for submicron device structures for bipolar, CMOS or bipolar CMOS circuits.

Un mélange de précurseur de solénoïde-gel pour former un matériel ferroelectric de perovskite et une méthode pour former un matériel ferroelectric sont fournis. La solution de précurseur comporte une formulation de solénoïde-gel d'un mélange d'un sel inorganique au moins d'un métal, et les composés métal-organiques d'autres métaux constitutifs dans un pH approprié ont commandé le mélange dissolvant aqueux pour former un mélange stable et clair de solénoïde-gel. La solution et la méthode de précurseur prévoit la formation des couches minces d'autres diélectriques ferroelectric et matériaux piézoélectriques, en particulier matériaux contenant du plomb, pour l'application comprenant des drachmes non-volatiles, les dispositifs optoélectroniques se fondant sur les propriétés optiques non linéaires, et les dispositifs piézoélectriques, et est compatible avec le traitement pour les structures submicroniques de dispositif pour bipolaire, CMOS ou circuits bipolaires de CMOS.