A semiconductor device has a multilayer interconnection structure including a lower organic interlayer insulation film, an etching stopper film on the lower interlayer insulation film and an upper organic interlayer insulation film covering the etching stopper film, wherein the upper organic interlayer insulation film is covered by first and second etching stopper films of respective, different compositions.

Ein Halbleiterelement hat eine mehrschichtige Verbindung Struktur einschließlich einen untereren organischen Zwischenlageisolierung Film, einen Radierung Stopperfilm auf dem untereren Zwischenlageisolierung Film und einem oberen organischen Zwischenlageisolierung Film, die den Radierung Stopperfilm bedecken, worin der obere organische Zwischenlageisolierung Film vorbei zuerst und zweite Radierung Stopperfilme des jeweiligen, unterschiedlichen Aufbaus bedeckt wird.