A tunable semiconductor laser comprises a gain section having an MQW active region, a uniform pitch grating DFB region, and first waveguide. A composite reflector, including a second MQW region and a second waveguide, forms a cavity resonator with the DFB region. A tuning voltage applied to the composite reflector induces refractive index changes, thereby allowing the center wavelength to be altered. A dither signal applied the composite reflector broadens the spectrum of the laser output, thereby reducing SBS in fiber optic systems

Un laser réglable de semi-conducteur comporte une section de gain ayant une région active de MQW, une région discordante du lancement uniforme DFB, et le premier guide d'ondes. Un réflecteur composé, y compris une deuxième région de MQW et un deuxième guide d'ondes, forme un résonateur de cavité avec la région de DFB. Une tension d'accord a appliqué au réflecteur composé induit des changements d'indice de réfraction, permettant de ce fait à la longueur d'onde centrale d'être changée. Un signal de transe a appliqué le réflecteur composé élargit le spectre du rendement de laser, réduisant de ce fait le SBS dans les systèmes optiques de fibre