A lattice shaped underlayer made of a ferroelectric material having a piezoelectric effect is formed on a substrate. On the crossing points of the underlayer magnetic films with a magnetoelastic effect are formed. By applying a voltage to the given column and row of the underlayer, the underlayer is stressed at the crossing point. Then the stress is transmitted to the magnetic film on the same crossing point making the magnetization reverse through the magnetoelastic effect, thus, carrying out writing to the MRAM.

Un trellis a formé l'underlayer fait d'un matériel ferroelectric ayant un effet piézoélectrique est formé sur un substrat. Sur les points de croisement des films magnétiques d'underlayer avec un effet magnetoelastic sont formés. En s'appliquant une tension à la colonne et à la rangée données de l'underlayer, l'underlayer est souligné au point de croisement. Alors l'effort est transmis au film magnétique sur le même point de croisement faisant à l'inverse de magnétisation par l'effet magnetoelastic, de ce fait, l'écriture de mise en oeuvre au MRAM.