A nitride semiconductor device comprising an n-type nitride semiconductor layer, an active layer having a quantum well structure including a well layer of a nitride semiconductor containing In, the p-type nitride semiconductor layer having a p-type contact layer, a p-type high concentration doped layer interposed between said active layer and said p-type contact layer and a p-type multi-film layer interposed between said active layer and said p-type high concentration doped layer.

Ein Nitridhalbleiterelement, das eine Nart Nitridhalbleiterschicht, eine aktive Schicht hat eine Quantenbrunnenstruktur einschließlich eine wohle Schicht eines Nitridhalbleiters innen enthält, die Part die Nitridhalbleiterschicht hat eine Part Kontaktschicht, eine Part hohe Konzentration enthält, lackierte die Schicht, die zwischen besagter aktiver Schicht vermittelt wurde und besagter Part Kontaktschicht und einer Part die Multifilm Schicht, die zwischen besagter aktiver Schicht und besagter Part hohe Konzentration vermittelt wurde, lackierte Schicht.