This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10.sup.15 bits/cm.sup.3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium comprising a storage molecule comprising a first subunit and a second subunit wherein the first and second subunits are tightly coupled such that oxidation of the first subunit alters the oxidation potential(s) of the second subunit rendering the oxidation potential(s) of the second unit different and distinguishable from the oxidation potentials of the first subunit.

Questa invenzione fornisce i dispositivi di memoria ad alta densità del romanzo che sono elettricamente lettura e scrittura efficaci consententi accessibili, che forniscono un'alta densità di memoria (per esempio, 10.sup.15 bits/cm.sup.3), che forniscono un alto grado di tolleranza di errori e che è favorevole a montaggio chimico efficiente del circuito integrato e di sintesi. I dispositivi sono intrinsecamente latchable, defect tollerante e sostengono i cicli indicati distruttivi o non distruttivi. In un metodo di realizzazione preferito, il dispositivo contiene un elettrodo fisso accoppiato elettricamente ad uno strumento di memorizzazione che contiene una molecola di immagazzinaggio che contiene una prima unità secondaria e una seconda unità secondaria in cui le prime e seconde unità secondarie strettamente coppia tali che l'ossidazione della prima unità secondaria altera il potential(s) di ossidazione della seconda unità secondaria che rende il potential(s) di ossidazione della seconda unità differente e distinguibile dai potenziali di ossidazione della prima unità secondaria.