After depositing an anti-reflection coating of an organic material for absorbing an energy beam on an etching target film formed on a semiconductor substrate, a photosensitive film of a photosensitive material including a sulfonyl compound is deposited on the anti-reflection coating. After selectively irradiating the photosensitive film with an energy beam, an exposed or unexposed portion of the photosensitive film is removed, thereby forming a patterned photosensitive film. By using the patterned photosensitive film as a mask, the etching target film is dry etched. Thus, a pattern of the etching target film is formed.

Na het deponeren van een anti-reflection deklaag van een organisch materiaal voor het absorberen van een energiestraal op een film van het etsdoel die op een halfgeleidersubstraat wordt gevormd, wordt een fotogevoelige film van een fotogevoelig materiaal met inbegrip van een sulfonyl samenstelling gedeponeerd op de anti-reflection deklaag. Na selectief het bestralen van de fotogevoelige film met een energiestraal, wordt een blootgesteld of onbelicht gedeelte van de fotogevoelige film verwijderd, daardoor vormt een gevormde fotogevoelige film. Door de gevormde fotogevoelige film als masker te gebruiken, is de geëtste film van het etsdoel droog. Aldus, een patroon van ets wordt de doelfilm gevormd.