A method for fabricating ferroelectric memory cells includes forming a first interlayer insulating film having a first opening on an underlayer, and forming a preparatory first electrode layer over the entire surface thereof. The preparatory first electrode layer is partially removed in a CMP process and a first electrode is formed by the remaining portion. Next, a second interlayer insulating film having a second opening that exposes the first electrode is formed. Portions of a preparatory ferroelectric film on the exposed surface of the first electrode and the upper surface of the second interlayer insulating film are formed mutually stepped. The portion of the preparatory ferroelectric film on the second interlayer insulating film is removed by a CMP process and the portion on the exposed surface is left remaining to form a ferroelectric film. A second electrode is formed on the ferroelectric film by CMP processing or photolithography.

Un metodo per fabbricare le cellule di memoria ferroelectric include formare una pellicola isolante del primo strato intermedio che ha una prima apertura su un underlayer e formante un primo strato preparatorio dell'elettrodo sopra l'intera superficie di ciò. Il primo strato preparatorio dell'elettrodo parzialmente è rimosso in un processo del CMP e un primo elettrodo è costituito dalla parte restante. Dopo, una pellicola isolante del secondo strato intermedio che ha una seconda apertura che espone il primo elettrodo è formata. Le parti di una pellicola ferroelectric preparatoria sulla superficie esposta del primo elettrodo e sulla superficie superiore della pellicola isolante del secondo strato intermedio sono formate reciprocamente hanno fatto un passo. La parte della pellicola ferroelectric preparatoria sulla pellicola isolante del secondo strato intermedio è rimossa tramite un processo del CMP e la parte sulla superficie esposta è lasciata restante per formare una pellicola ferroelectric. Un secondo elettrodo è formato sulla pellicola ferroelectric dall'elaborazione o dal photolithography del CMP.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Capacitor for semiconductor memory device and fabrication method thereof

> Aqueous gels comprising ethoxylated polyhydric alcohols

> (none)

~ 00026