In a liquid crystal substrate in which a matrix of reflecting electrodes is formed on a substrate, a transistor is formed corresponding to each reflective electrode and a voltage is applied to the reflective electrode through the transistor. A silicon oxide film having a thickness of 500 to 2,000 angstroms is used as the passivation film and the thickness is set to a value in response to the wavelength of the incident light to maintain a substantially constant reflectance.

Dans un substrat en cristal liquide en lequel une matrice des électrodes se reflétantes est formée sur un substrat, un transistor est correspondance formée à chaque électrode r3fléchissante et une tension est appliquée à l'électrode r3fléchissante par le transistor. Un film d'oxyde de silicium ayant une épaisseur de 500 à 2.000 angströms est employé comme film de passivation et l'épaisseur est placée à une valeur en réponse à la longueur d'onde de la lumière d'incident pour maintenir une réflectivité essentiellement constante.