The process provides a multistage procedure, in which, in the first step the layer is sputtered at low temperature, in the second step an RTP process is carried out in an inert atmosphere at medium or high temperature, and in the third step the layer is heat treated in an atmosphere containing oxygen at low or medium temperature. The levels of heating are considerably reduced compared with conventional processes, so that when the process is being employed for producing an integrated memory cell it is possible to prevent oxidation of an underlying barrier layer.

Der Prozeß liefert ein mehrstufiges Verfahren, in dem, im ersten Schritt die Schicht bei der niedrigen Temperatur gespritzt wird, im zweiten Schritt, den ein RTP Prozeß in einer trägen Atmosphäre am Mittel oder an der Hochtemperatur durchgeführt wird, und im dritten Schritt ist die Schicht in einer Atmosphäre wärmebehandelt, die Sauerstoff bei der niedrigen oder mittleren Temperatur enthält. Den Niveaus der Heizung werden beträchtlich verglichen mit herkömmlichen Prozessen verringert, damit, wenn der Prozeß für das Produzieren einer integrierten Speicherzelle eingesetzt wird, es möglich ist, Oxidation einer zugrundeliegenden Grenzschicht zu verhindern.