An integrated circuit has a Built-In Self-Test (BIST) controller (10) that has a sequencer (16) that provides test algorithm information for multiple memories (44, 46, 48, 50). The sequencer identifies the test algorithm that is to be performed and multiple memory interfaces (32, 34, 36, 38) interpret the output of the sequencer and perform the algorithm on the multiple memories. The multiple memories may be different or the same regarding type, size, data widths, etc. Having multiple memory interfaces provides flexibility to tailor the test algorithm for each memory, but yet keeps the advantage of a single source of identifying the test algorithm. With the memories being non-volatile, timing information with regard to the test algorithm is stored in the memories. When test algorithms fail or complete execution, pertinent BIST information is stored in non-user addressable space of the multiple memories.

Ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα έχει έναν ενσωματωμένο self-Test (BIST) ελεγκτή (10) που έχει sequencer (16) που παρέχει τις πληροφορίες αλγορίθμου δοκιμής για τις πολλαπλάσιες μνήμες (44 ..46 ..48, 50). Sequencer προσδιορίζει τον αλγόριθμο δοκιμής που πρόκειται να εκτελεσθούν και τις πολλαπλάσιες διεπαφές μνήμης (32 ..34 ..36, 38) ερμηνεύουν την παραγωγή sequencer και εκτελούν τον αλγόριθμο στις πολλαπλάσιες μνήμες. Οι πολλαπλάσιες μνήμες μπορούν να είναι διαφορετικές ή το ίδιο πράγμα σχετικά με τον τύπο, το μέγεθος, τα πλάτη στοιχείων, κ.λπ. που έχουν τις πολλαπλάσιες διεπαφές μνήμης παρέχει την ευελιξία να προσαρμοστεί ο αλγόριθμος δοκιμής για κάθε μνήμη, αλλά ακόμα κρατά το πλεονέκτημα μιας ενιαίας πηγής προσδιορισμού του αλγορίθμου δοκιμής. Με τις μνήμες που είναι αμετάβλητες, οι πληροφορίες συγχρονισμού όσον αφορά τον αλγόριθμο δοκιμής αποθηκεύονται στις μνήμες. Όταν οι αλγόριθμοι δοκιμής αποτυγχάνουν ή ολοκληρώνουν την εκτέλεση, οι σχετικές πληροφορίες BIST αποθηκεύονται non-user στο προσπελάσιμο διάστημα των πολλαπλάσιων μνημών.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Process for producing high-epsilon dielectric layer or ferroelectric layer

> Led lamp apparatus

> (none)

~ 00026