A semiconductor device manufacturing method comprises the steps of forming solder bumps on an underlying metal film of a semiconductor device, and placing the semiconductor device and the solder layer in a reduced pressure atmosphere containing formic acid to form the solder bumps. Accordingly, the solder bumps can be formed without flux generating voids in the solder layer. Furthermore, the cleaning required after the solder bumps are formed can be omitted.

Un metodo di fabbricazione del dispositivo a semiconduttore contiene i punti formare gli urti della saldatura su una pellicola di fondo del metallo di un dispositivo a semiconduttore e disposizione il dispositivo a semiconduttore e dello strato della saldatura in un atmosfera ridotto di pressione che contiene l'acido formico per formare gli urti della saldatura. Di conseguenza, gli urti della saldatura possono essere formati senza cambiamento continuo che genera i vuoti nello strato della saldatura. Ancora, la pulizia richiesta dopo che gli urti della saldatura siano formati può essere omessa.