In a DRAM fabrication process, a first oxide is provided over a transistor gate and over a substrate extending from under the gate. The deposition is non-conformal in that the oxide is thicker over the gate and over the substrate than it is on the side of the gate. A second non-conformal oxide is provided over the first non-conformal oxide. The second oxide is annealed in a boron-containing atmosphere, and the first oxide prevents boron diffusion from the second oxide into the gate and substrate. The second oxide may then serve as an etch stop, a CMP stop, or both.

In einem DRAM-Herstellung Prozeß wird ein erstes Oxid über einem Transistorgatter und -überschuß ein Substrat zur Verfügung gestellt, das von unterhalb des Gatters verlängert. Die Absetzung ist dadurch, daß das Oxid über dem Gatter und dem Überschuß das Substrat stärker ist, als es ist auf der Seite des Gatters nicht-konform. Ein zweites nicht-konformes Oxid ist zur Verfügung gestellter Überschuß das erste nicht-konforme Oxid. Das zweite Oxid wird in einer Bor-enthaltenen Atmosphäre getempert, und das erste Oxid verhindert Bordiffusion (Zerstäubung) am zweiten Oxid in das Gatter und in das Substrat. Das zweite Oxid kann dann dienen wie ein Ätzunganschlag, ein CMP Anschlag oder beide.