The present invention provides methods of producing an anti-reflective layer on a semiconductor wafer/device and wafers/devices including that anti-reflective layer. The anti-reflective layer is produced by annealing layers of titanium and aluminum on a wafer/device to provide a roughened surface that significantly reduces reflectivity to improve the accuracy and definition provided by optical lithography processes.

La présente invention fournit des méthodes de produire une couche anti-r3fléchissante sur un semi-conducteur wafer/device et wafers/devices comprenant cette couche anti-r3fléchissante. La couche anti-r3fléchissante est produite par des couches de recuit de titane et d'aluminium sur un wafer/device pour fournir une surface rude qui réduit de manière significative la réflectivité pour améliorer l'exactitude et la définition fournies par des processus optiques de lithographie.