A junction-based field emission display, wherein the junctions are formed by depositing a semiconducting or dielectric, low work function, negative electron affinity (NEA) silicon-based compound film (SBCF) onto a metal or n-type semiconductor substrate. The SBCF can be doped to become a p-type semiconductor. A small forward bias voltage is applied across the junction so that electron transport is from the substrate into the SBCF region. Upon entering into this NEA region, many electrons are released into the vacuum level above the SBCF surface and accelerated toward a positively biased phosphor screen anode, hence lighting up the phosphor screen for display. To turn off, simply switch off the applied potential across the SBCF/substrate. May be used for field emission flat panel displays.

Un affichage jonction-basé d'émission de champ, où les jonctions sont constituées en déposant une fonction semi-conductrice ou diélectrique, basse de travail, le film composé silicium-basé négatif de l'affinité d'électron (NEA) (SBCF) sur un métal ou un n-type substrat de semi-conducteur. Le SBCF peut être enduit pour devenir un p-type semi-conducteur. Un petit polarise en aval la tension est appliqué à travers la jonction de sorte que le transport d'électron soit du substrat dans la région de SBCF. Lors d'entrer dans cette région de NEA, beaucoup d'électrons sont déchargés dans le niveau de vide au-dessus de la surface de SBCF et accélérés vers une anode franchement décentrée d'écran de phosphore, par conséquent l'éclairage vers le haut de l'écran de phosphore pour l'affichage. Pour s'éteindre, simplement commutateur outre du potentiel appliqué à travers le SBCF/substrate. Peut être employé pour les affichages sur écran plat d'émission de champ.