A semiconductor device comprises a semiconductor substrate and a capacitor provided above the semiconductor substrate and having an upper electrode, a lower electrode, and a dielectric film provided between the upper electrode and the lower electrode. At least one of the electrodes comprises an SrRuO.sub.3 film provided near the dielectric film and a conductive film made of conductive material other than SrRuO.sub.3 and provided far from the dielectric film.

Un dispositivo de semiconductor abarca un substrato del semiconductor y un condensador proporcionados sobre el substrato del semiconductor y tener un electrodo superior, un electrodo más bajo, y una película dieléctrica proporcionada entre el electrodo superior y el electrodo más bajo. Por lo menos uno de los electrodos abarca una película SrRuO.sub.3 proporcionó cerca de la película dieléctrica y de una película conductora hechas del material conductor con excepción de SrRuO.sub.3 y con tal que lejos de la película dieléctrica.