A laser-annealing method includes the steps of a first step of cleaning a non-monocrystal silicon film formed on a substrate, and a second step of laser-annealing the non-monocrystal silicon film in an atmosphere containing oxygen therein, wherein the first and second steps are conducted continuously without being exposed to the air. Also, a laser-annealing device includes a cleaning chamber, and a laser irradiation chamber, wherein a substrate to be processed is transported between the cleaning chamber and the laser irradiation chamber without being exposed to the air.

Um método do laser-recozimento inclui as etapas de uma primeira etapa de limpar uma película do silicone do non-non-monocrystal dada forma em uma carcaça, e uma segunda etapa do laser-recozimento a película do silicone do non-non-monocrystal em uma atmosfera que contem o oxigênio nisso, wherein as primeiras e segundas etapas são conduzidas continuamente sem ser exposto ao ar. Também, um dispositivo do laser-recozimento inclui uma câmara da limpeza, e uma câmara do irradiation do laser, wherein uma carcaça a ser processada é transportada entre a câmara da limpeza e a câmara do irradiation do laser sem ser exposto ao ar.