A semiconductor integrated circuit device having a port functioning as at least one of an input port and an output port, and can operates at high speed is provided. The port is divided into a first region in which a voltage of 3V is applied to the gate electrode and a second region in which a voltage of 3V or 5V is applied to the gate electrode. The thickness of gate oxide film of a MOS field effect transistor located in the first region is designed to be relatively small. The thickness of gate oxide film of a MOS field effect transistor located in the second region is designed to be relatively large. The regions operating at a voltage of 3V (the first region) and the regions operating at a voltage of 3V or 5V (the second region) are regularly divided.

Um dispositivo do circuito integrado do semicondutor que têm um porto funcionar como ao menos um de um porto da entrada e de um porto de saída, e a lata operam-se na alta velocidade são fornecidos. O porto é dividido em uma primeira região em que uma tensão de 3V é aplicada ao elétrodo de porta e a uma segunda região em que uma tensão de 3V ou de 5V é aplicada ao elétrodo de porta. A espessura da película do óxido da porta de um transistor de efeito de campo do MOS situado na primeira região é projetada ser relativamente pequena. A espessura da película do óxido da porta de um transistor de efeito de campo do MOS situado na segunda região é projetada ser relativamente grande. As regiões que operam-se em uma tensão de 3V (a primeira região) e as regiões que operam-se em uma tensão de 3V ou de 5V (a segunda região) são divididas regularmente.