A method for cleaning bonding pads on a semiconductor device, as disclosed herein, includes treating the bonding pads with a CF.sub.4 and water vapor combination. In the process, the water vapor breaks up and the hydrogen from the water vapor couples to fluorine residue on the bonding pad surface creating a volatile HF vapor. In addition, fluorine from the CF.sub.4 exchanges with the titanium in the metallic polymer residue making the polymer more soluble for the organic strip operation which follows. Next, the resist is ashed and then an organic resist stripper is applied to the bonding pad area, thereby creating a clean bonding pad surface. Thereafter, a reliable bond wire connection can be made to the bonding pad.

Une méthode pour nettoyer des plots de connexion sur un dispositif de semi-conducteur, comme révélé ci-dessus, inclut traiter les plots de connexion avec une combinaison de vapeur de CF.sub.4 et d'eau. Dans le processus, la vapeur d'eau se casse vers le haut et l'hydrogène des couples de vapeur d'eau jusqu au résidu de fluor sur la surface de plot de connexion créant une vapeur volatile d'à haute fréquence. En outre, fluor des échanges CF.sub.4 avec du titane dans le résidu métallique de polymère préparant le polymère plus soluble pour l'opération organique de bande qui suit. Après, la résistance est incinérée et alors un organique résiste au décolleur est appliqué au secteur de plot de connexion, créant de ce fait une surface propre de plot de connexion. Ensuite, un rapport fiable de fil d'obligation peut être établi au plot de connexion.