There is disclosed a method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device capable of effectively removing the organic impurity of a Ta.sub.2 O.sub.5 film by performing an in-situ plasma process using the mixture gas of nitrogen and oxygen during the process of forming the Ta.sub.2 O.sub.5 film as the dielectric film of the capacitor. Thus, it can reduce the impurity of the Ta.sub.2 O.sub.5 film to increase the supply of oxygen, and thus can improve the dielectric and leak current characteristic of the Ta.sub.2 O.sub.5 film. Further, it can prohibit oxidization of the underlying electrode, thus reducing the thickness of the equivalent oxide film of the capacitor as possible and sufficiently securing the capacitance of the capacitor. The method according to the present invention includes forming a polysilicon film on a semiconductor substrate in which a given underlying structure is formed; sequentially forming a first buffer layer and a metal layer on the polysilicon film to form a lower electrode; forming a Ta.sub.2 O.sub.5 film on the metal layer, wherein the process of depositing the Ta.sub.2 O.sub.5 film is performed by a plasma process under the mixture gas atmosphere of nitrogen and oxygen; and forming a second buffer layer and an upper electrode on the Ta.sub.2 O.sub.5 film.

Wird einer Methode der Produktion eines Kondensators in einem Halbleiterelement freigegeben, das zu die organische Verunreinigung eines Ta.sub.2 O.sub.5 Filmes effektiv entfernen fähig ist, indem man einen in-situplasmaprozeß mit dem Mischung Gas des Stickstoffes und des Sauerstoffes während des Prozesses der Formung des Ta.sub.2 O.sub.5 Filmes als der dielektrische Film des Kondensators durchführt. So kann er die Verunreinigung des Ta.sub.2 O.sub.5 Filmes verringern, um das Versorgungsmaterial des Sauerstoffes zu erhöhen und kann den Nichtleiter folglich verbessern und den Strom auslaufen, der vom Ta.sub.2 O.sub.5 Film charakteristisch ist. Weiter kann er Oxidization der zugrundeliegenden Elektrode verbieten, die Stärke des gleichwertigen Oxidfilmes des Kondensators so verringern, wie möglich und die Kapazitanz des Kondensators genug sichern. Die Methode entsprechend der anwesenden Erfindung schließt die Formung eines polysilicon Filmes auf einem Halbleitersubstrat ein, in dem eine gegebene zugrundeliegende Struktur gebildet wird; eine erste Pufferschicht und ein Metall der Reihe nach, bildend, überlagern Sie auf dem polysilicon Film, um eine unterere Elektrode zu bilden; Formung einen Ta.sub.2 O.sub.5 Film auf der Metallschicht, worin der Prozeß des Niederlegens des Ta.sub.2 O.sub.5 Filmes durch einen Plasmaprozeß unter der Mischung Gasatmosphäre des Stickstoffes und des Sauerstoffes durchgeführt wird; und eine zweite Pufferschicht und eine obere Elektrode auf dem Ta.sub.2 O.sub.5 Film bildend.