A new bulk resonator may be fabricated by a process that is readily incorporated in the traditional fabrication techniques used in the fabrication of monolithic integrated circuits on a wafer. The resonator is decoupled from the wafer by a cavity etched under the resonator using selective etching through front openings (vias) in a resonator membrane. In a typical structure the resonator is formed over a silicon wafer by first forming a first electrode, coating a piezoelectric layer over both the electrode and the wafer surface and forming a second electrode opposite the first on the surface of the piezoelectric layer. After this structure is complete, a number of vias are etched in the piezoelectric layer exposing the surface under the piezoelectric layer to a selective etching process that selectively attacks the surface below the piezoelectric layer creating a cavity under the resonator.

Um ressonador maioria novo pode ser fabricado por um processo que seja incorporado prontamente nas técnicas tradicionais da fabricação usadas na fabricação de circuitos integrados monolíticos em um wafer. O ressonador decoupled do wafer por uma cavidade gravada sob o ressonador usando gravura a água-forte seletiva com as aberturas dianteiras (vias) em uma membrana do ressonador. Em uma estrutura típica o ressonador é dado forma sobre um wafer de silicone primeiramente dando forma a um primeiro elétrodo, revestindo um excesso piezoelectric da camada o elétrodo e a superfície do wafer e dando forma a um segundo elétrodo oposto ao primeiro na superfície da camada piezoelectric. Depois que esta estrutura está completa, um número de vias estão gravados na camada piezoelectric que expõe a superfície sob a camada piezoelectric a um processo seletivo gravura a água-forte que ataque seletivamente a superfície abaixo da camada piezoelectric que cría uma cavidade sob o ressonador.