A recessed bond pad within an electronic device on a substrate, and associated method of fabrication. The electronic device includes N contiguous levels of interconnect metallurgy, with level N coupled to the substrate. A first group of metallic etch stops is formed at level M.ltoreq.N, and a second group of metallic etch stops is formed at level M-1. The second group conductively contacts the first group in an overlapping multilevel matrix pattern. A recessed copper pad is formed at level K.ltoreq.M-2. A cylindrical space that encloses the metal pad encompasses levels 1,2, . . . , M-1 above the first group, and levels 1,2, . . . , M-2 above the second group. Dielectric material in the cylindrical space is etched away, leaving a void supplanting the etched dielectric material, and leaving exposed surfaces of the cylindrical space. The copper pad is exposed and recessed within the cylindrical space. An aluminum layer is conformally formed to encapsulate the exposed copper pad, to protect the copper pad from oxidation. The recessed bond pad includes the copper pad and the encapsulating aluminum layer. A blanket is formed that covers remaining exposed surfaces of the cylindrical space while leaving a portion of the aluminum layer of the bond pad exposed. The blanket protects the surfaces from oxidation, contaminants, and mechanical stress. The recessing of the bond pad prevents force applied to a wirebond on the bond pad from being transmitted to dielectric material within the substrate.

Een in een nis gezet bandstootkussen binnen een elektronisch apparaat op een substraat, en bijbehorende methode van vervaardiging. Het elektronische apparaat omvat de aangrenzende niveaus van N van interconnect metallurgie, met niveau N dat aan het substraat wordt gekoppeld. Een eerste groep metaal etst einden wordt gevormd op niveau M.ltoreq.N, en een tweede groep metaal etst einden wordt gevormd op niveau m-1. De tweede groep contacteert conductively de eerste groep in een overlappend matrijspatroon op verscheidene niveaus. Een in een nis gezet koperstootkussen gevormd=wordt= op niveau k.ltoreq.M-2. Een cilindrische ruimte die het metaalstootkussen insluit omvat niveaus 1.2. .. , M-1 boven de eerste groep, en niveaus 1.2, .. ., M2 boven de tweede groep. Het diëlektrische materiaal in de cilindrische ruimte wordt weg geëtst, verlatend een leegte verdringend het geëtste diëlektrische materiaal, en verlatend blootgestelde oppervlakten van de cilindrische ruimte. Het koperstootkussen wordt blootgesteld en binnen de cilindrische ruimte blootgesteld. Een aluminiumlaag wordt conformally gevormd om het blootgestelde koperstootkussen in te kapselen, om het koperstootkussen tegen oxydatie te beschermen. Het in een nis gezette bandstootkussen omvat het koperstootkussen en de inkapselende aluminiumlaag. Een deken wordt gevormd die het blijven blootgestelde oppervlakten van de cilindrische ruimte terwijl het verlaten van een gedeelte van de aluminiumlaag van het blootgestelde bandstootkussen behandelt. De deken beschermt de oppervlakten tegen oxydatie, verontreinigende stoffen, en mechanische spanning. Het in een nis zetten van het bandstootkussen verhindert kracht die op een wirebond op het bandstootkussen aan diëlektrisch materiaal worden overgebracht binnen het substraat wordt toegepast.