A nonvolatile ferroelectric memory and method for fabricating the same include shunt lines to reduce RC delay on wordlines in the memory. A unit cell of the nonvolatile ferroelectric memory can include first and second bitlines, first and second transistors, first and second ferroelectric capacitors, a first split wordline formed in a direction to cross the first and second bitlines and coupled to a gate of the first transistor and a first electrode of the second ferroelectric capacitor, and a second split wordline formed in a direction to cross the first and second bitlines and coupled to a gate of the second transistor and a first electrode of the first ferroelectric capacitor. First shunt lines in a plurality of separation layers are over the first split wordlines and are coupled to the first split wordlines. Second shunt lines of the plurality of separation layers are over the second split wordline and are coupled to the second split wordline. The shunt lines reduce a RC delay on the split wordlines to provide a faster operating memory device that can have a reduced device size.

Uma memória e um método ferroelectric permanentes para fabricar o mesmo incluem linhas da derivação para reduzir RC atrasam em wordlines na memória. Uma pilha da unidade da memória ferroelectric permanente pode incluir primeiramente e segundos bitlines, primeiramente e segundos transistor, capacitores primeiramente e em segundo ferroelectric, um primeiro wordline do split dado forma em um sentido para cruzar os primeiros e segundos bitlines e acoplado a uma porta do primeiro transistor e de um primeiro elétrodo do segundo capacitor ferroelectric, e um segundo wordline do split dado forma em um sentido para cruzar os primeiros e segundos bitlines e acoplado a uma porta do segundo transistor e de um primeiro elétrodo do primeiro capacitor ferroelectric. As primeiras linhas da derivação em um plurality de camadas da separação são excesso os primeiros wordlines do split e são acopladas aos primeiros wordlines do split. As segundas linhas da derivação do plurality de camadas da separação são excesso o segundo wordline do split e são acopladas ao segundo wordline do split. As linhas da derivação reduzem um RC atrasam nos wordlines rachados para fornecer um dispositivo de memória operando-se mais rápido que possa ter um tamanho reduzido do dispositivo.