Methods are disclosed for writing magneto-resistive memory devices. Some of the methods help reduce peak currents during a write, while others increase the speed of the write. To reduce the peak currents, selected control signals such as selected word lines, digital lines and/or sense lines are sequentially activated, rather than activated in parallel. Because the word lines, digital lines and/or sense lines are sequentially activated, the peak currents experienced during a corresponding write may be reduced. To increase the speed of a write, the magnetization vector of the magneto-resistive bits are actively forced to be substantially parallel with the major axis of the magneto-resistive bits, rather than merely drift to that position under the forces inherent in the magneto-resistive bit.

Методы показаны для приспособлений памяти сочинительства магниторезистивных. Некоторые из методов помогают уменьшить пиковые течения во время писания, пока другие увеличивают скорость писания. Для уменьшения пиковых течений, выбранные сигналы управления such as выбранные линии слова, цифровые линии and/or линии чувства последовательн активированы, rather than активированы параллельно. Потому что слово выравнивается, цифровые линии and/or линии чувства последовательн активированы, пиковые течения испытанные во время соответствовать пишут могут быть уменьшены. Увеличить скорость писания, вектор замагничивания магниторезистивных битов активно принуждается для того чтобы быть существенн параллельн с главной осью магниторезистивных битов, rather than просто смещением к тому положению под усилиями своиственными в магниторезистивном бите.