Provided is a method and apparatus for the production of a semiconductor device, the method and the apparatus producing a high quality and highly functional semiconductor device efficiently at low temperatures in a short time and also a high quality and highly functional semiconductor device produced by the method and apparatus. The semiconductor device is produced by forming a film of a nitride compound on a substrate having heat resistance at 600.degree. C. or less, wherein the nitride compound includes one or more elements selected from group IIIA elements of the periodic table and a nitrogen atom and produces photoluminescence at the band edges at room temperature. The method for producing a semiconductor device comprises introducing an organic metal compound containing one or more elements selected from group IIIA elements of the periodic table intermittently in an activated environment, while continuously activating a nitrogen compound, to form a film of a nitride compound containing nitrogen and the group IIIA elements on a substrate.

Con tal que sea un método y un aparato para la producción de un dispositivo de semiconductor, del método y del aparato produciendo una alta calidad y un dispositivo de semiconductor altamente funcional eficientemente en las bajas temperaturas en un rato corto y también una alta calidad y el dispositivo de semiconductor altamente funcional producido por el método y el aparato. El dispositivo de semiconductor es producido formando una película de un compuesto del nitruro en un substrato que tiene resistencia térmica en 600.degree. C. o menos, en donde el compuesto del nitruro incluye unos o más elementos seleccionados de elementos del grupo IIIA de la tabla periódica y de un átomo del nitrógeno y produce photoluminescence en los bordes de la venda en la temperatura ambiente. El método para producir un dispositivo de semiconductor abarca introducir un compuesto orgánico del metal que contiene unos o más elementos seleccionados de elementos del grupo IIIA de la tabla periódica intermitentemente en un ambiente activado, mientras que continuamente activa un compuesto del nitrógeno, para formar una película de un nitrógeno que contiene compuesto del nitruro y de los elementos del grupo IIIA en un substrato.