A polycrystalline film of silicon including silicon grains having an aspect ratio, d/t, of more than 1:1, wherein "d" is the grain diameter and "t" is the grain thickness. The polycrystalline film of silicon can be used to form an electronic device, such as a monolithically integrated solar cell having ohmic contacts formed on opposed surfaces or on the same surface of the film. A plurality of solar cells can be monolithically integrated to provide a solar cell module that includes an electrically insulating substrate and at least two solar cells disposed on the substrate in physical isolation from one another. Methods for manufacturing the film, solar cell and solar cell module are also disclosed. The simplified structure and method allow for substantial cost reduction on a mass-production scale, at least in part due to the high aspect ratio silicon grains in the film.

Un film polycristallin de silicium comprenant des grains de silicium ayant un allongement, d/t, plus de de 1:1, où "d" est le diamètre de grain et le "t" est l'épaisseur de grain. Le film polycristallin du silicium peut être employé pour former un dispositif électronique, tel qu'une pile solaire monolithiquement intégrée ayant les contacts ohmiques formés sur les surfaces opposées ou sur la même surface du film. Une pluralité de piles solaires peut être monolithiquement intégrée pour fournir un module de pile solaire qui inclut un substrat électriquement isolant et au moins deux piles solaires disposées sur le substrat dans l'isolement physique les uns des autres. Des méthodes pour fabriquer le film, la pile solaire et le module de pile solaire sont également révélées. La structure et la méthode simplifiées tiennent compte de la réduction des coûts substantielle sur une échelle de masse-production, au moins en partie dû aux hauts grains de silicium d'allongement du film.