A method for forming an electrode. The method includes forming a conductive plug through a first dielectric layer. The plug extends from an upper surface of the first dielectric layer to a contact region in a semiconductor substrate. The electrode is formed photolithographically, misalignment of a mask registration in the photolithography resulting in exposing surface portions of the barrier contact. A second dielectric layer is deposited over the first dielectric layer, over side portions and top portions of the formed electrode, and over the exposed portions of barrier contact. A sacrificial material is provided on portions of the second dielectric layer disposed on lower sides of the, electrode, on portions of the second dielectric layer disposed on the first dielectric layer, and on said exposed portions of the barrier contact while exposing portions of the second dielectric layer on the top portions and upper side portions of the formed electrode. The exposed portions of the second dielectric layer are removed while leaving the portions of the second dielectric layer on the exposed portions of the barrier contact. A material is deposited over exposed portions of the first electrode and over remaining portions of the second dielectric layer in an oxidizing environment. A second electrode is formed for the storage element over the material. In forming a capacitor storage element, the portion of the second dielectric layer on the barrier contact prevents oxidation of the barrier contact during the material formation process.

Μια μέθοδος για ένα ηλεκτρόδιο. Η μέθοδος περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός αγώγιμου βουλώματος μέσω ενός πρώτου διηλεκτρικού στρώματος. Το βούλωμα επεκτείνεται από μια ανώτερη επιφάνεια του πρώτου διηλεκτρικού στρώματος σε μια περιοχή επαφών σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών. Το ηλεκτρόδιο διαμορφώνεται photolithographically, μη ευθυγράμμιση μιας εγγραφής μασκών στη φωτολιθογραφία με συνέπεια την έκθεση των μερίδων επιφάνειας της επαφής εμποδίων. Ένα δεύτερο διηλεκτρικό στρώμα κατατίθεται πέρα από το πρώτο διηλεκτρικό στρώμα, πέρα από τις δευτερεύουσες μερίδες και τις κορυφαίες μερίδες του διαμορφωμένου ηλεκτροδίου, και πέρα από τις εκτεθειμένες μερίδες της επαφής εμποδίων. Ένα θυσιαστικό υλικό παρέχεται στις μερίδες του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος που διατίθεται στις χαμηλότερες πλευρές, του ηλεκτροδίου, στις μερίδες του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος που διατίθεται στο πρώτο διηλεκτρικό στρώμα, και στις εν λόγω εκτεθειμένες μερίδες της επαφής εμποδίων εκθέτοντας τις μερίδες του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος στις κορυφαίες μερίδες και τις ανώτερες δευτερεύουσες μερίδες του διαμορφωμένου ηλεκτροδίου. Οι εκτεθειμένες μερίδες του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος αφαιρούνται αφήνοντας τις μερίδες του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος στις εκτεθειμένες μερίδες της επαφής εμποδίων. Ένα υλικό κατατίθεται πέρα από τις εκτεθειμένες μερίδες του πρώτου ηλεκτροδίου και πέρα από την παραμονή μερίδες του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος σε ένα οξειδωτικό περιβάλλον. Ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο διαμορφώνεται για το στοιχείο αποθήκευσης πέρα από το υλικό. Με διαμόρφωση ενός στοιχείου αποθήκευσης πυκνωτών, η μερίδα του δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος στην επαφή εμποδίων αποτρέπει την οξείδωση της επαφής εμποδίων κατά τη διάρκεια της υλικής διαδικασίας σχηματισμού.