The present invention relates to a method of forming an isolation trench that comprises forming a recess in a substrate and forming a film upon the sidewall under conditions that cause the film to have a tensile load. The method includes filling the recess with a material that imparts a compressive load upon the film under conditions that oppose the tensile load. The present invention is particularly well suited for shallow isolation trench filling in the 0.13 micron geometry range, and smaller.

A invenção atual relaciona-se a um método de dar forma a uma trincheira da isolação que compreenda dar forma a um rebaixo em uma carcaça e dar forma a uma película em cima do sidewall sob as circunstâncias que fazem com que a película tenha uma carga tensile. O método inclui o enchimento do rebaixo com um material que dê uma carga compressive em cima da película sob as circunstâncias que opõem a carga tensile. A invenção atual é particularmente boa servida para a trincheira rasa da isolação que enche-se na escala de uma geometria de 0.13 mícron, e menor.