In accordance with embodiments of the present invention a trench-level dielectric film (26) and a via-level dielectric film (24) are formed overlying a semiconductor device substrate (10). A via opening (42) is etched in the trench-level dielectric film with a first etch chemistry that has a higher etch selectivity to the trench-level dielectric film (26) than to the via-level dielectric film (24). A trench opening (54) is patterned in a photoresist layer (52) overlying the trench-level dielectric film (26). The via-level dielectric film (24) is etched with a second etch chemistry to extend the via opening (42) into the via-level dielectric film (24). The trench-level dielectric film (26) is etched to form a trench opening.

Selon des modes de réalisation de la présente invention un film diélectrique de fossé-niveau (26) et un film diélectrique de par l'intermédiaire-niveau (24) sont formés recouvrant un substrat de dispositif de semi-conducteur (10). A par l'intermédiaire de l'ouverture (42) est gravé à l'eau-forte dans le film diélectrique de fossé-niveau avec une première chimie gravure à l'eau forte qui a une sélectivité plus élevée gravure à l'eau forte au film diélectrique de fossé-niveau (26) qu'au film diélectrique de par l'intermédiaire-niveau (24). Une ouverture de fossé (54) est modelée dans une couche de vernis photosensible (52) recouvrant le film diélectrique de fossé-niveau (26). Le film diélectrique de par l'intermédiaire-niveau (24) est gravé à l'eau-forte avec une deuxième chimie gravure à l'eau forte pour prolonger par l'intermédiaire de l'ouverture (42) dans le film diélectrique de par l'intermédiaire-niveau (24). Le film diélectrique de fossé-niveau (26) est gravé à l'eau-forte pour former une ouverture de fossé.

 
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