A semiconductor laser structure is provided, which has an increased catastrophic optical damage (COD) level that allows the laser diode to have an increased life time of use. This semiconductor laser structure is characterized in the forming of a current-blocking structure proximate to the facets of the laser diode, which can help reduce the injected current into the facets, thereby increasing the COD level of the resulted laser diode. As a result, the resulted laser diode can operate at a high output power and nonetheless have an increased life time of use. Moreover, the forming of the current-blocking layers proximate to the facets can be performed simply by incorporating an additional photomask step in the fabrication without having equipment such as epitaxial equipment or vacuum equipment in the case of the prior art.

Uma estrutura do laser do semicondutor é fornecida, que tenha um nível ótico catastrófico aumentado dos danos (BACALHAU) que permita que o diodo do laser tenha uma estadia aumentada da vida do uso. Esta estrutura do laser do semicondutor é caracterizada em dar forma de uma estrutura deobstrução proximate aos facets do diodo do laser, que pode ajudar reduzir a corrente injetada nos facets, aumentando desse modo o nível do BACALHAU do diodo resultado do laser. Em conseqüência, o diodo resultado do laser pode operar-se em um poder elevado da saída e nonetheless ter uma estadia aumentada da vida do uso. Além disso, dar forma das camadas deobstrução proximate aos facets pode ser executado simplesmente incorporando uma etapa adicional do photomask na fabricação sem ter o equipamento tal como o equipamento epitaxial ou o equipamento do vácuo no exemplo da arte prévia.